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プロフィール
 高圧下融液徐冷法によるIII族窒化物 半導体単結晶育成 内海 渉 * ・齋藤寛之 * 谷口 尚 ** ・青木勝敏 * GaN単結晶の新しい合成法である「高圧下でその融液を徐冷して単結晶を育成する手法」を紹介する.6GPaを超える超高圧下では,高温におけるGaと窒素への分解が抑制され,GaNが液体として存在できる.この現象に基づいて,大型プレスの高温・高圧装置を用いた融液徐冷法によるGaN単結晶育成が可能になってきた.AlN-GaN混晶やInN結晶など,他のIII族窒化物半導体結晶合成への展開の現状と見通しについても述べる. * 日本原子力研究所 関西研究所 放射光科学研究センター ** 物質・材料研究機構 物質研究所 [full text PDF] (1.39MB)
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